Toshiba, IBM и AMD объявили о том, что ими совместно разработан элемент статической памяти с произвольной выборкой (Static Random Access Memory, SRAM), площадь которого составляет всего лишь 0,128 квадратных микрон.

Микромодули SRAM являются схемными элементами большинства крупномасштабных интегральных схем системного уровня, таких как микропроцессоры. Более миниатюрные элементы SRAM могут способствовать появлению меньших по размеру и более быстрых процессоров, которые, к тому же, потребляют меньше электроэнергии.

Исследователи Toshiba, IBM и AMD создали сверхминиатюрный элемент FinFET SRAM с использованием новаторской полупроводниковой технологии HKMG. Этот элемент представляет собой самую маленькую, из когда-либо созданных, ячейку памяти SRAM на базе непланарных полевых транзисторов, с площадью 0,128 квадратных микрона. Новый интегрированный элемент SRAM более чем на 50% меньше своего предыдущего аналога, площадь которого составляла 0,274 квадратных микрона.

Основываясь на успешном создании сверхминиатюрных элементов памяти FinFET SRAM с использованием технологии HKMG, компании Toshiba, IBM и AMD позиционируют технологию полевых транзисторов «плавникового» типа (FinFET) как весьма перспективную транзисторную структуру для модулей памяти SRAM, изготавливаемых с применением 22-нанометровых (и ниже) технологических норм. Новая инновационная технология FinFET является важным шагом к созданию более мощных и малогабаритных электронных устройств.

Источник: здесь

Это сообщение создано Суббота, Декабрь 20, 2008 в 22:12 в категорию Новости сотовой связи. Вы можете подписаться на сообщения RSS 2.0 Вы можете оставить комментарий или послать trackback на это сообщение.