Компания Toshiba объявила о выпуске новой серии флэш-памяти SLC (Single-Level Cell) NAND с плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Новинки плотностью 16, 32 и 64 Гбит состоят из монолитных 16 Гбит  чипов, изготовленных по 43нм техпроцессу. Разработчикам Toshiba удалось удвоить плотность записи по сравнению с чипами, производимыми по 56нм нормам. Это максимально возможная на сегодняшний день плотность. Новые устройства будут доступны на рынке в первом квартале 2009 года.

Чипы SLC способны быстро обрабатывать большие объемы данных и были разработаны для рименения в устройствах, требующих высокой скорости чтения и записи – мобильных телефонах, LCD панелях, серверах. Скорость записи у чипов SLC в 2.5 раза выше, чем у чипов MLC (Multi-Level Cell).

В последние годы корпорация Toshiba занималась активным продвижением на рынок модулей флэш-памяти высокой емкости типа MLC NAND, которые использовались для карт памяти и mp3-плееров. Производство флэш-памяти типа SLC было ограничено, для него использовались технологические нормы 56нм и 70нм. Расширяя производство SLC памяти высокой плотности, Toshiba рассчитывает укрепить свои позиции в сегменте компонентов, предназначенных для высокопроизводительных приложений.

Характеристики новых продуктов:

Характеристики чипа 16Гбит:

Оригинальный источник: здесь

Это сообщение создано Среда, Октябрь 29, 2008 в 22:10 в категорию Новости сотовой связи. Вы можете подписаться на сообщения RSS 2.0 Нет возможности оставить комментарий. Пинги не принимаются...