Samsung начала выпус самых маленьких микросхем DDR3 емкостью 2 Гбит
Компания Samsung Electronics объявила об апробировании самых маленьких устройств DDR3 емкостью 2 Гбит. Благодаря использованию 50-нанометровой технологии производительность новых устройств на 60 % превышает аналогичный показатель для устройств DDR2 такой е плотности. Использование новых компонентов DDR3 емкостью 2 Гб позволит создавать модули RIMM объемом до 16 Гб и приведет к экономии более 40 % электроэнергии по сравнению с модулями памяти DDR3 емкостью 1 Гб.
Благодаря малому форм-фактору нового устройства в модулях RIMM могут использоваться микросхемы памяти объемом до 8 Гб, а в модулях SODIMM и UDIMM — до 4 Гб без наложения компонентов. Кроме того, путем использования сдвоенных пакетов с компонентами DDR3 емкостью 2 Гб можно проектировать модули RIMM объемом до 16 Гб.
Цельные чипы емкостью 2 Гб представлят собой эффективное решение с точки зрения энергопотребления для приложений с активным использованием памяти. Чипы объемом 2 Гб приходят на замену решениям со сдвоенными чипами по 1 Гб, что позволяет сократить потребление электроэнергии как минимум на 40 %, а это крайне важно для серверных приложений, а также для настольных компьютеров и ноутбуков нового поколения. Устройство емкостью 2 Гб поддерживает скорость передачи данных до 1,3 Гбит/с при напряжении 1,5 или 1,35 В, что приблизительно в 1,6 раза быстрее, чем комплект на базе сдвоенных модулей емкостью 1 б со скоростью передачи данных 800 Мб/с. Кроме того, благодаря уменьшению количества микросхем DDR3 достигается меньшее тепловыделение.
По данным рыночных исследований, проводимых компанией IDC, доля памяти DDR3 скоро должна составить 29 % всего рынка DRAM, в к 2011 году она достигнет 72 %. Сегмент устройств емкостью 2 Гб по прогнозам должен вырасти с 3 % в 2009 г. до 33 % в 2011 г.
Оригинальный источник: здесь