Samsung представила интеральные микросхемы для SIM-карт, изготовленные по 90-нм технологии
Компания Samsung Electronics представила новую интегральную микросхему высокой емкости для смарт-карт, изготовленную по 90-нанометровой технологии. Микросхема предназначена для использования в SIM-картах и приложениях мобильного телевидениях. В новом чипе (S3CC9PF) Samsung использует собственный 16-битный процессор CalmRISC с объемом оперативной памяти 16,5 Кб, ПЗУ 384 Кб и ЭСППЗУ 288 Кб.
Прогрессивная 90-нм технология впервые применена в чипе для смарт-карт со встроенным электрически стираемым программируемым постоянным запоминающим устройством (ЭСППЗУ). К концу года планируется выпуск версии с флэш-памятью.
В новой микросхеме используется ускоряющий процессор и встроенная поддержка симметричных стандартов шифрования-дешифрования (DES – тройной DES), стандарта асимметрического шифрования (RSA) и алгоритм ашифрования в эллиптических кривых (ECC), которые обеспечивают высочайшую степень безопасности, а также сокращение времени верификации пользователя в десятки раз и усиление защиты против подделок и хакерских атак. Благодаря высокому уровню безопасности новая смарт-карта идеально подходит для систем мобильного ТВ, мобильной оплаты и идентификации, в которых предъявляются повышенные требования к защите процессов аутентификации и передачи данных.
Компания Samsung также представила две версии изделия с более низкой плотностью хранеия данных – чипы для SIM-карт на основе 90-нм технологии с емкостью встроенного ЭСППЗУ 72 Кб и 144 Кб. По прогнозам маркетингового агентства Frost & Sullivan, объем рынка смарт-карт в этом году достигнет 4,3 млрд. долларов США, а к 2012 г. вырастет до 7,6 млрд. долларов (совокупный темп роста – 15% в год).
В настоящее время производятся опытные образцы новых чипов для SIM-карт. Начало массового производства запланировано на конец 2008 г.
Оригинальный источник: здесь