Компании Intel и Micron Technology объявили о совместной разработке высокоскоростной флэш-памяти типа NAND. Она будет выпущена компанией IMFT (IM Flash Technologies). Скорость работы новой памяти в пять раз выше, чем у обычной NAND-памяти, заявляют разработчики. Скорость чтения нового решения составляет 200 Мб/с, а скорость записи - 100 Мб/с. В то время как скорость стандартной одноуровневой флэш-памяти типа NAND ограничена 40 Мб/с для чтения и 20 Мб/с для записи. Новая память от Intel и Micron соответствует спецификации ONFI 2.0. По словам разработчиков, высокая скорось достигается за счет "четырехплоскостной" архитектуры и повышенной тактовой частоты.

Оригинальный источник: здесь

Это сообщение создано Вторник, Февраль 5, 2008 в 23:02 в категорию Новости сотовой связи. Вы можете подписаться на сообщения RSS 2.0 Нет возможности оставить комментарий. Пинги не принимаются...