Сегодня японская компания Toshiba объявила о разработке ею новой технологии, названной "двойной туннельный слой" (double tunneling layer), которая послужит в будущем для производства модулей памяти по 10 нм технологическому процессу. Эта базисная технологи, со слов компании, открывает дорогу для элементов памяти с ёмкостью более 100 Гбит и изготовленных по 10 нм техпроцессу. Данная технология была анонсирована на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) проведенной в Вашингтоне (округ Колумбия, США).

Оригинальный источник: здесь

Это сообщение создано Среда, Декабрь 12, 2007 в 20:12 в категорию Новости сотовой связи. Вы можете подписаться на сообщения RSS 2.0 Нет возможности оставить комментарий. Пинги не принимаются...