Intel покорила 32-нм техпроцесс
Лидер полупроводниковой отрасли на форуме IDF 2007 показывает свои последние достижения в этой области, не переставая удивлять конкурентов. В преддверии скорого вывода на рынок первых процессоров с использованием транзисторов с металлическим затвором и диэлектриком high-k, изготовленных по 45-нм технологическому процессу, Пол Отеллини заявил, что корпорация Intel уже достигла важной вехи в развитии технологий массового производства микросхем следующего поколения, и представил первые функциональные микросхемы статической пмяти, изготовленные по 32-нм технологическому процессу и содержащие более 1,9 млрд транзисторов каждый. Корпорация Intel планирует вывести на рынок устройства, созданные по 32-нм техпроцессу, в 2009 году.
Микросхемы статической памяти емкостью 291 Мб, изготовленные по 32-нм технологичскому процессу, построены на транзисторах следующего поколения с металлическим затвором и диэлектриком high-k; размер ячейки памяти составляет 0,182 квадратных микрона.
Микросхемы статической памяти использовались в качестве тестовых устройств для демонстрации технологическй мощи, результатов внедрения нового технологического процесса и надежности микросхем перед выводом на рынок процессоров и других логических устройств, при создании которых будет использоваться 32-нм производственный процесс.
Оригинальный источник: здесь