Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в индустрии NAND флэш-памяти с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек. Новинка позволяет, со слов компании, преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND с выгодным соотношением производительности и размера будет применяться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных приложений, в том числе встраиваемой NAND-памяти и твердотельных накопителях (SSD).

Первый чип Samsung V-NAND объёмом 128 Гбит использует  технологию 3D Charge Trap Flash (CTF), обеспечивающую большую надёжность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость чипов флэш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором, а также технологию многослойной компоновки с вертикальными внутричиповыми соединениями.

В течение последних 40 лет флэш-память создавалась на основе плоских однослойных структур с ячейками с плавающим затвором. Однако после освоения процесса производства с топологическим размером 10-нм масштаба возникла необходимость в новых технологических решениях, поскольку интерференция между соседними ячейками приводила к снижению надежности NAND-памяти. Попытки решить возникающие проблемы в рамках классических технологий влекла за собой увеличение времени разработки и стоимости чипов памяти.

Новинка V-NAND решает эти технические проблемы, выходя на новый уровень разработки и производства чипов NAND-памяти благодаря инновациям в структуре, схемотехнике и производственном процессе. Для этого Samsung обновила разработанную в 2006 году технологию 3D Charge Trap Flash. В CTF-конструкции электрический заряд (определяющий хранящиеся в ячейке памяти данные) временно помещается в специальную изолированную область ячейки из непроводящего нитрида кремния (SiN) вместо используемого в классических технологиях плавающего затвора полевого транзистора для предотвращения интерференции между соседними ячейками памяти.

Благодаря трехмерной структуре слоев в CTF-конструкции удалось значительно повысить надежность и скорость памяти. Новая 3D V-NAND не только демонстрирует увеличение надежности от 2 до 10 раз, но и вдвое повышает скорость записи по сравнению с обычной NAND-памятью с плавающим затвором, также изготовленной по процессу 10-нм класса.

Кроме того, одним из наиболее важных технологических достижений Samsung V-NAND является вертикальная компоновка ячеек, позволяющая объединить до 24 слоев в одном чипе памяти. При этом специальная технология травления позволяет сформировать вертикальные проводящие каналы, соединяющие слои от верхнего до нижнего. Новая вертикальная структура поможет Samsung выпускать NAND флэш-память более высокой емкости за счет увеличения числа 3D-слоев ячеек вместо дальнейшего наращивания площади чипа, приводящего к непропорциональному росту трудозатрат на его производство.

Источник: здесь

Это сообщение создано Пятница, Август 9, 2013 в 22:08 в категорию Новости сотовой связи. Вы можете подписаться на сообщения RSS 2.0 Вы можете оставить комментарий или послать trackback на это сообщение.